【英飞凌公司正推进其碳化硅（SiC）供货商体系多元化，并与我国碳化硅资料供货商北京天科合达半导体股份有限公司签定了一份长时间供货协议，以确保取得更多具有竞争力的碳化硅来历。天科合达将为英飞凌供给用于出产SiC半导体的6英寸碳化硅资料，其供给量占到英飞凌未来长时间猜测需求的两位数比例。】

  英飞凌是世界闻名的半导体公司，其前身是西门子集团的半导体部分，英飞凌技能实力雄厚，在功率半导体商场占有率世界榜首。近年来，英飞凌公司不断加强其SiC制作才能，并继续看好亚太区第三代半导体商场。公司制订了远景方针，力求在2030年到达30%全球SiC商场比例。

  根据对碳化硅开展远景的充沛看好，英飞凌公司在曩昔几年，与全球碳化硅资料首要供货商纷繁签定长时间供货协议。可能是出于对亚太商场尤其是我国商场的考虑，英飞凌公司推进了这次与我国供货商天科合达长时间协作协议的签定。

  据业一位内人士称，天科合达这家碳化硅资料公司是具有深沉的中科院布景和国资布景的高科技企业。公司在2006年建立，建立之初的首要技能源自中科院物理研究所，首要工业化支撑资金来历于新疆天富集团。近年来，伴随着“双碳”建造的深化施行以及国家对第三代半导体的大力支撑，以新能源轿车、光伏风电、储能设备、轨道交通、5G通讯等为首要使用的碳化硅商场快速扩容。以天科合达、天岳先进、烁科晶体等为代表的国内碳化硅资料企业迎来快速开展的机遇。天科合达在导电衬底范畴尤为超卓，占有了国内一半以上的商场比例，2021年世界商场占有率排名第四，在产品良率方面也处于职业领先地位。公司现已得到国家方针基金和工业基金的大力支撑，国家集成电路工业出资基金、哈勃科技出资基金、比亚迪、宁德年代、润科基金都是天科合达的股东。此次两边协作协议的签定，是英飞凌公司对天科合达产品质量的充沛肯定，也是英飞凌完善供给链建造的一次要害挑选。英飞凌坐落马来西亚居林的碳化硅工厂方案于2024年投产，估计天科合达将会有用确保该厂的碳化硅晶圆供给。

  本报记者就相关状况致电中科院物理研究所碳化硅团队负责人、天科合达首席科学家陈小龙研究员。

  「碳化硅是引领第三代半导体工业开展的重要资料，使用远景宽广，大大助力于“双碳”战略的施行。碳化硅归于第三代半导体资料，和榜首代以硅为主、第二代以砷化镓为主的半导体资料比较，具有禁带宽度大、饱满电子迁移率高、导热功能等优势，特别适合于做大功率、耐高温、耐高压的半导体器材。比方电动轿车使用碳化硅器材做逆变器、变压器，乃至是车载充电桩，可以做得体积小，重量轻，这样进步电动轿车的续航路程，一起转化效率高，可以有用节能。在光伏逆变器和储能逆变器范畴，进步电能利用率，大大下降能耗丢失。未来碳化硅器材将会掩盖更高电压等级器材，可使用于轨道交通和智能电网等范畴。碳化硅功率器材导通电阻底，开关频率高，可以有用下降体系能耗，到达节能减排的意图，是为“双碳”战略服务的重要资料。」

  「我国碳化硅技能起步较晚，天科合达是中科院物理研究所产学研协作成功的典型事例，一直在推进着国内碳化硅技能进步。碳化硅（SiC）晶体成长极端困难，上世纪90年代只要少量发达国家把握SiC晶体成长和加工技能，我国起步较晚。为推进SiC晶体国产化，防止我国宽禁带半导体工业被“卡脖子”，咱们团队从1999年开端，从根底研究到使用研究，自主研制突破了从成长设备到高质量SiC晶体成长和加工等要害技能。咱们形成了具有自主知识产权的完好技能道路，从而推进国内榜首家SiC晶体工业化公司北京天科合到达立。天科合达不断开展壮大，取得了不错的经济和社会效益，带动了整个工业链快速开展，团队因而取得了我国科学院2020年度科技促进开展奖，成为中科院产学院协作的一个优异事例。」

  「世界碳化硅器材厂商与资料厂签定长约，一直是遍及的做法，英飞凌确定天科合达的部分产能，即有利于推进天科合达技能进步，也稳固了英飞凌的供给链体系，是一个双赢的挑选。」

  别的，中科院物理所陈小龙教授还称，现在物理所研制团队还重视碳化硅液相法晶体成长技能，期望根底研究上跟进一步，为其工业化开展奠定根底。