近日，第二届英飞凌碳化硅应用技术发展论坛暨光伏与储能分论坛在春意盎然的上海圆满收官。此次盛会高朋满座，英飞凌工业功率控制事业部的管理团队和技术专家与碳化硅产、学、研界的大咖，以及共创ECO的合作伙伴齐聚一堂，共话碳化硅技术的发展前途、应用之道，并肩展望未来新能源发展趋势。

  论坛以“Cool 芯领航 英华绽放”为主题，英飞凌科技高级总监Peter Friedrichs围绕“英飞凌碳化硅的技术布局”发表主旨演讲，为整个大会拉开了序幕。

  作为全球领先的半导体企业，英飞凌与时俱进、开拓创新，推出了先进的碳化硅技术和完整的解决方案，将在以下应用领域为中国企业和合作伙伴助力：

  电机领域：SiC MOSFET能够更好的降低损耗及噪音，可望减少55%的逆变器体积及重量；

  新能源汽车领域：SiC MOSFET将成为主要的技术，将会在新能源汽车的每个部分都能得到应用。

  在论坛上，各位专家还详细探讨了碳化硅技术的优势，深入剖析了碳化硅技术带给市场的机遇与挑战，并就碳化硅市场的现状与前景分享了自己的独到见解。不同的观点碰撞、交锋，可谓高潮迭起、精彩纷呈。

  SiC给市场带来的机遇远大于挑战，SiC器件具有高压、高频和高效率的优势，但是SiC领域的专业技术人员往往对SiC器件是 “又爱又恨” ，一方面SiC在缩小了体积同时提高了效率，一方面在SiC在应用技术方面又有很高的要求，为了把短路保护做到极致，解决噪声问题和散热问题，这几年我们在不断的提升技术。无论是器件的研发还是系统的应用，SiC仍面临着很多技术门槛，我们会在这方面与SiC元器件厂商共同努力进步。

  SiC是英飞凌规划领域中的核心产品，英飞凌在SiC产品的研发和生产方面做出了很多的努力。就生产而言，虽说在SiC原材料供应方面，晶圆的生产周期和产能是一个挑战，但是英飞凌现有的冷切割技术，推动晶圆的产能得到大幅度的提高和更高效的应用。培养SiC技术领域人才方面，英飞凌不断扩充顶尖技术团队，希望把Si器件方面的生产能力、产能规模能延续到SiC，生产出高质量、可靠的SiC产品，进一步巩固和提升我们的市场地位：为业界提供最可靠的SiC产品与服务！

  英飞凌和国内的很多企业都有关于SiC的探讨，在以下行业更是有着成熟和深度的合作：快速充电桩、太阳能逆变器、中大功率的UPS、车载电源、轨道交通。我认为SiC能在某个行业对其效率有革命性的提升，比如：提高能效方面和减少重量与体积方面，它一定会对这样的领域有着极大的作用。但是SiC器件也不是万金油，在接下来的很长一段时间，Si与SiC器件都会长期并存，共同发展。

  可以从SiC与Si器件的原理方面做分析，就结构来讲，Si与SiC材料之间最主要的差别是他们承受的电场能力不同，彼此之间差了10倍。所以SiC的600V器件和Si的60V器件之间是可以有借鉴之处的。SiC器件现在所做的事情和Si之前所涉的技术大致相同，所以在原理方面是有借鉴之处的。

  SiC的价格问题是一直是很严峻，客户永远希望价格越低越好。作为一个新兴技术，SiC也有新兴技术所存在的普遍问题：产量小、稳定度不够、价格高。虽然大家都希望SiC技术能普及，但是从新兴技术发展到通用技术这样的一个过程往往是十分漫长的。IGBT，从1990年至今，一共发展了30年，走过了7代的技术，从晶圆来讲走过了4英寸、6英寸，8英寸、12英寸，从芯片的厚度从300降到了60 μm，最终成本降到了原先的五分之一。所以SIC技术也同样需要一些时间来进行技术上的打磨，以此来降低成本。

  电力电子技术使电能在发生、输送、分配、利用及存储等环节都处于精确可控状态，可明显提高电能变换系统的灵活性和兼容性，在现代电力系统或电网中获得了广泛应用。

  随着新半导体技术的出现，我们有机会将电力电子的工作模式发生比较大的变化。通过这一种变化，更利于通过不间断电源对电网和负载的很多问题做主动性的预防。

  百尺竿头，更进一步。历经一载春华秋实，英飞凌碳化硅应用技术发展论坛已在中国生根发芽，结出了累累硕果。未来，英飞凌将继续矢志创“芯”，引领碳化硅产业的发展，并与合作伙伴携手共筑新能源领域的美好未来。

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