随着我们寻求更强大、更小型的电源解决方案，碳化硅 (SiC) 等宽禁带 (WBG) 材料慢慢的变流行，特别是在一些具有挑战性的应用领域，如汽车驱动系统、直流快充、储能电站、不间断电源和太阳能发电。这些应用有一点非常相似，它们都需要逆变器（图 1）。它们还需要紧凑且高能效的轻量级解决方案。就汽车而言，轻量化是为增加续航里程，而在太阳能应用中，这是为了限制太阳能设备在屋顶上的重量。图 1.典型的 EV 动力总成，其中显示了逆变器半导体损耗决定逆变器效率的重要的因素之一是所使用的半导体器件（IGBT /

  在工业、汽车和可再次生产的能源应用中，基于宽禁带 (WBG) 技术的组件，比如 SiC，对提高能效至关重要。在本文中，安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件将怎么样发展，以此来实现更高的能效和更小的尺寸，并讨论对于转用 SiC 技术的公司而言，建立稳健的供应链为何至关重要。在广泛的工业系统（如电动汽车充电基础设施）和可再次生产的能源系统（如太阳能光伏 (PV)）应用中，MOSFET 技术、分立式封装和功率模块的进步有助于提高能效并减少相关成本。然而，平衡成本和性能对于设计人员来说是一项持续的挑战，必须在不增加太阳

  近期，三安半导体公布消息称，公司携碳化硅全产业链产品亮相SEMICON Taiwan 2023。除了推出650V-1700V宽电压范围的SiC MOSFET外，三安半导体还首发了8英寸碳化硅衬底。三安半导体表示，展会上有多家重要客户在详细询问三安半导体产品参数后，表示已经确认采购意向。图：三安半导体湖南三安半导体属于三安光电下属子公司，主体业务涵盖碳化硅、氮化镓化合物半导体功率芯片的研发、设计、制造及服务，目前建立具有自主知识产权的衬底（碳化硅）、外延、芯片及封装产业生产基地。湖南三安半导体是三安

  随着新能源汽车和电动飞机概念的兴起，在可预见的未来里，电能都将会是人类社会持续健康发展的主要能源。然而，随着电气化在各行各业的渗透率不断的提高，每年全社会对电能的消耗量都是一个天文数字。比如在中国，依照国家能源局发布的数据，2022年全社会用电量86,372亿千瓦时，同比增长3.6%；其中，快速地发展的新能源汽车在整车制造方面，用电量大幅度增长71.1%。图1：全社会用电量统计（图源：贸泽电子）各行业电气化进程逐渐深入后，我们也必须要考虑到一个严峻的问题，那就是节能。当前，任何一种用电设备在设计之初，都会将高能效和低能

  随着碳化硅（SiC）在电动汽车、新能源等领域的应用日益广泛，市场需求一直增长。近期，一批碳化硅项目集中开工，部分公司接到批量订单，推动了碳化硅加速量产。传播星球App联合发起人由曦向《证券日报》记者介绍，碳化硅的应用场景最重要的包含电动汽车、光伏发电、充电桩、电力电子等领域。近年来，我国在碳化硅领域的研究和应用取得加快速度进行发展，一些项目已经落地实施。例如，在新能源汽车的高压充电技术方面，碳化硅作为其中的关键材料，其需求正日渐增长。“碳化硅作为一种优良的半导体材料，具有耐高压、导热好、耐高温等优点，是实现高压快充技

  在半导体行业的下行周期中，也并非一片低迷之声，碳化硅就是萎靡之势中的一个反例。随着电动汽车功率半导体价值量的提升，以碳化硅为代表的第三代半导体正在逆势而上。需求殷切令各路厂商竞相投资扩大产能，并且在未来的五年里，它的热度只会增不会减。这一趋势在最近两年碳化硅行业的投资并购动作中也可窥见一二。国内上半年融资创三年之最2021 年有多家碳化硅企业获得了投资机构的青睐，相继宣布完成融资，行业内也随之激起一番融资浪潮。2021 年全年投融资及并购金额达到 21.32 亿元，数量达到 15 起。2022 年也是碳化

  2023年7月19日--智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代码：ON)与提供创新可持续的车行方案的全球领先供应商博格华纳(BorgWarner，纽约证交所股票代码：BWA)，扩大碳化硅（SiC）方面的战略合作，协议总价值超10亿美元。博格华纳计划将安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模块中。长期以来，双方已在广泛的产品领域开展战略合作，其中即包括EliteSiC器件。Viper 800V碳化硅逆变器安森美提供高性能的 Elit

  全球范围内正在经历一场能源革命。根据国际能源署的报告，到 2026 年，可再次生产的能源将占全球能源增长量的大约 95%。太阳能将占到这 95% 中的一半以上。如今，在远大的清洁能源目标和政府政策的驱动下，太阳能、电动汽车 (EV) 基础设施和储能领域不断加快采用可再次生产的能源。可再次生产的能源的逐渐普及也为在工业、商业和住宅应用中部署功率转换系统提供了更多机会。采用碳化硅 (SiC) 等宽带隙器件，可帮助设计人员平衡四大性能指标：效率、密度、成本和可靠性。SiC 相比传统基于 IGBT 的电源应用在可再次生产的能源系统中的优

  碳化硅（SiC）技术具有比传统的硅（Si）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）等技术具有更多优势，包括更高的开关频率，更低的工作时候的温度，更高的电流和电压容量，以及更低的损耗，进而能轻松实现更高的功率密度、可靠性和效率。本文将为您介绍SiC的发展的新趋势与在储能系统（ESS）上的应用，以及由Wolfspeed推出的SiC电源解决方案。大幅度降低储能系统成本与提升效率的SiC技术当前的SiC技术已相当成熟，可以适用在从千瓦到兆瓦功率的工业应用场景范围中，影响了能源、工业和汽车等众多领域。由于SiC器件运作时的温度较低，及较小的

  ·   意法半导体和三安光电将成立一家合资制造厂，进行8英寸碳化硅 (SiC)器件大规模量产·   该合资厂将有利于满足中国汽车电气化、工业电力和能源等应用对意法半导体 SiC器件日渐增长的需求·   三安光电还将单独建造一个8英寸 SiC衬造厂，以满足该合资厂的衬底需求 2023年6月7日，中国 -- 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：ST

  ·       纬湃科技正在锁定价值19亿美元（17.5亿欧元）的碳化硅（SiC）产能·       纬湃科技通过向安森美提供2.5亿美元（2.3亿欧元）的产能投资，获得这一关键的半导体技术，以实现电气化的强劲增长·       除了产能投资外，两家公司还将在逐步优化主驱逆变器系统方面达成合作 2023年

  近日，中国电科55所牵头研发的“高性能高可靠碳化硅MOSFET技术及应用”成功通过技术鉴定。鉴定委员会认为，该项目技术难度大，创新性显著，总体技术达到国际领先水平。该项目聚焦新能源汽车、光伏储能、智能电网等领域对高性能高可靠碳化硅MOSFET器件自主创新的迫切需求，突破多项关键工艺技术，贯通碳化硅衬底、外延、芯片、模块全产业链量产平台，国内率先研制出750V/150A和6500V/25A的大电流碳化硅MOSFET器件，实现新能源汽车、光伏、智能电网等领域碳化硅MOSFET批量供货，有力保障碳化硅功率器件供

  近期，一众国内厂商扩产、量产碳化硅的消息频繁发布。如博世收购了美国半导体代工厂TSI以在2030年底之前扩大自己的SiC产品组合；安森美半导体考虑投资20亿美元扩产碳化硅芯片；SK集团宣布，旗下SK powertech位于釜山的新工厂结束试运行，将正式量产碳化硅，产能将扩大近3倍。除此之外，据外国媒体报道，日本半导体巨头瑞萨和德国晶圆代工厂X-FAB也于近日宣布了扩产碳化硅的计划。其中，瑞萨电子将于2025年开始生产使用碳化硅 (SiC）来降低损耗的下一代功率半导体产品。报道指出，按照计划，瑞萨电子拟在目

  近两年新能源汽车和光伏储能市场的火热，让半导体供应上升到了很多公司战略层面的考虑因素。特别是SiC的供应更加紧俏。最近几年用户对SiC的使用更有经验，逐渐发挥出了其高效率高功率密度的优点，正在SiC使用量增大的阶段，却面临了整个市场的缺货的状态。碳化硅功率器件缺货有很多因素，目前前道是最大的瓶颈，特别是前道的“最前端” ，SiC衬底片和外延片是目前缺货最严重的材料。面对这类问题，作为功率半导体的领头羊英飞凌又有哪些举措呢？一方面，英飞凌与多家晶圆厂签订长期供货协议推动其碳化硅（SiC）供应商体系多元化，保

  碳化硅（SiC）为由硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物，碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。 制造 由于天然含量甚少，碳化硅主要多为人造。最简单的方法是将氧化硅砂与碳置入艾其逊电弧炉中，以1600至2500°C高温加热。 发现 爱德华·古德里希·艾其逊在1893年制造出此化合物，并发展了生产碳化硅用之艾其逊电弧炉，至今此技术仍为众人使用中。 性质 碳化硅至少有70种 [查看详细]